ECR-PEMOCVD相关论文
第三代半导体的蓬勃发展使得氮化镓（GaN）以其特殊的结构特性、电学特性以及光学特性成为当前研究的热点。近年来GaN基相关器件的发展......
氮化镓（GaN）是一种具有直接带隙结构的Ⅲ族氮化物半导体,有较宽的禁带宽度（Eg=3.39 eV）、良好的热稳定性以及较高的电子迁移率等特性,......
近年来,类石墨烯层状二维(2D)材料二硫化钼(MoS_2)由于具有良好的光电性质和机械性能引起了人们的广泛关注,有望成为开发下一代微......
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的代表,具有宽带隙、高击穿场强、高电子迁移率、化学稳定性好等优点,在光电器件和电子器件中展现出......
学位
Ⅲ-Ⅴ族的氮化物（GaN、AlN、InN）作为复合型的纤锌矿结构,能够形成相连接续的合金系统(InxGa1-x-x N和AlxGa1-x-x N),因此通过对其合......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
期刊
通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN......
期刊
通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEM......
本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是：Al电极／GZO／P型nc-Si：H／I层本征I......
针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进......
报道了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积(PEMOCVD)方法在GaAs(001)衬底上成功地制备出GaN量子点.原子力显微......
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电......
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术,在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁......
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法，在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓（GaN）薄膜。利用......
近年来,由于氮化镓(GaN)材料在光电子器件(半导体二极管LED、半导体激光器LD)和微电子器件(高温、大功率、高频晶体管)等方面有着......
由于氮化镓(GaN)材料具有优良的结构性能、电学性能和光学性能,使其在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和紫外(UV)光电探测器等光......
氮化镓(GaN)基半导体发光二极管(LED)的绝大多数衬底为蓝宝石(α-Al2O3),而α-Al2O3衬底具有价格昂贵、绝缘、导热性差、尺寸小(直......
学位
氮化镓(GaN)由于具有带隙宽(3.39eV),电子漂移饱和速度高(1.5×10Vcm/s),击穿电压高等特点,被誉为继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后第三......
氮化镓(GaN)作为Ⅲ-Ⅴ直接带隙半导体材料,室温下有着较宽的禁带宽度(3.39eV)。20世纪90年代,日本Nichia公司开发出第一只InGaN/Al......
学位
氮化镓是一种直接带隙(室温禁带宽度为3.39eV)半导体材料,从上世纪90年代以来就被广泛地应用在了发光二极管领域。作为硅材料之后......
随着半导体光电材料从GaAs材料向新一代GaN基材料的发展，制备长寿命、高亮度、低能耗的薄膜发光光电材料成为当前半导体光电材料工......
